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坚持小班授课，为保证培训效果，增加互动环节，每期人数限3到5人。 |
| 上课时间和地点 |
上课地点：【上海】：同济大学(沪西)/新城金郡商务楼(11号线白银路站) 【深圳分部】：电影大厦(地铁一号线大剧院站)/深圳大学成教院 【北京分部】：北京中山学院/福鑫大楼 【南京分部】：金港大厦(和燕路) 【武汉分部】：佳源大厦（高新二路） 【成都分部】：领馆区1号（中和大道） 【沈阳分部】：沈阳理工大学/六宅臻品 【郑州分部】：郑州大学/锦华大厦 【石家庄分部】：河北科技大学/瑞景大厦 【广州分部】：广粮大厦 【西安分部】：协同大厦
最近开课时间(周末班/连续班/晚班）：即将开课，详情请咨询客服！ |
| 实验设备 |
☆资深工程师授课
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| 质量保障 |
1、培训过程中，如有部分内容理解不透或消化不好，可免费在以后培训班中重听；
2、课程完成后,授课老师留给学员手机和Email,保障培训效果,免费提供半年的技术支持。
3、培训合格学员可享受免费推荐就业机会。 |
课程大纲 |
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功率半导体器件应用及电源设计培训
本课程首先介绍几种常用功率半导体器件的基本原理及特性差异；其次详细阐述MOSFET的开关瞬态过程，分析影响MOSFET开关速度、损耗和EMI的关键因素，并对MOSFET的关键参数进行详细解读；然后结合实际案例分析在不同典型电路和应用领域中MOSFET的选型原则、失效机理及EMI整改方法；最后重点介绍几种主流电路仿真软件在电源设计中的应用。以上内容将通过理论分析结合实际应用案例进行详细阐述。
【培训大纲】
1. 常用功率半导体器件的基本原理及特性对比分析
2. 功率MOSFET的开关过程分析及EMI整改策略对比
3. 功率MOSFET关键参数解读及选型原则
4. 功率MOSFET在电源中的应用案例分析
5. 基于几种典型电路仿真软件的电源设计
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